2024 NASDAQ:TGAN 주가(Transphorm) 트랜스폼 테크놀로지 GaN 기술로 전력 포트폴리오 확장을 위해 Renesas가 인수

ryohwa
/ 1월 11, 2024

Renesas, GaN 기술로 전력 포트폴리오 확장을 위해 Transphorm(NASDAQ:TGAN) 인수

도쿄/골레타, 캘리포니아주, 2024년 1월 11일 –( BUSINESS WIRE ) — 고급 반도체 솔루션의 선두 공급업체인 Renesas Electronics Corporation(“Renesas,” TSE: 6723)과 Transphorm, Inc.(“Transphorm,” 견고한 질화갈륨(“GaN”) 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 나스닥: TGAN)은 오늘 Renesas의 자회사가 Transphorm의 보통주 전체 발행주식을 주당 5.10달러에 인수하는 최종 계약을 체결했다고 발표했습니다. 현금으로, 2024년 1월 10일 Transphorm 종가에 약 35%의 프리미엄, 지난 12개월 동안의 거래량 가중 평균 가격에 약 56%, 거래량 가중 평균 가격에 약 78%의 프리미엄을 나타냅니다. 지난 6개월 동안. 이번 거래에서 Transphorm의 가치는 약 3억 3900만 달러로 평가됩니다. 이번 인수를 통해 Renesas는 전력 반도체용 차세대 핵심 소재인 GaN 기술을 자체적으로 확보하여 EV, 컴퓨팅(데이터 센터, AI, 인프라), 재생 에너지, 산업용 전력 변환 등 빠르게 성장하는 시장으로 범위를 확대하게 됩니다. 그리고 고속 충전기/어댑터.

탄소 중립을 위한 구성 요소로서 고효율 전력 시스템에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 이러한 추세를 해결하기 위해 업계 전반에서 실리콘 카바이드(“SiC”)와 GaN으로 대표되는 와이드 밴드갭(“WBG”) 소재로의 전환도 나타나고 있습니다. 이러한 고급 소재는 기존 실리콘 기반 장치보다 더 넓은 범위의 전압 및 스위칭 주파수를 허용합니다. 이러한 추진력을 바탕으로 Renesas는 10년 SiC 웨이퍼 공급 계약을 통해 지원되는 사내 SiC 생산 라인 설립을 발표했습니다.

Renesas는 이제 더 높은 스위칭 주파수, 더 낮은 전력 손실, 더 작은 폼 팩터를 가능하게 하는 신흥 소재인 GaN에 대한 Transphorm의 전문 지식을 통해 WBG 포트폴리오를 더욱 확장하는 것을 목표로 하고 있습니다. 이러한 이점은 더 높은 효율성, 더 작고 가벼운 구성, 더 낮은 전체 비용으로 고객의 시스템을 강화합니다. 이에 따라 업계 조사에 따르면 GaN 수요는 매년 50% 이상 증가할 것으로 예상된다. Renesas는 컴퓨팅, 에너지, 산업 및 소비자 애플리케이션과 함께 EV용 X-in-1 파워트레인 솔루션과 같은 새로운 향상된 전력 솔루션 제품을 개발하기 위해 Transphorm의 자동 인증 GaN 기술을 구현할 예정입니다.

Renesas의 CEO인 Hidetoshi Shibata는 “Transphorm은 GaN 전력에 뿌리를 두고 캘리포니아 대학 산타바바라 출신의 노련한 팀이 독특하게 이끄는 회사입니다.”라고 말했습니다. “Transphorm의 GaN 기술 추가는 IGBT 및 SiC의 모멘텀을 기반으로 합니다. 이는 성장의 핵심 기둥으로서 당사의 전력 포트폴리오를 촉진하고 확장하여 고객에게 최적의 전력 솔루션을 선택할 수 있는 완전한 능력을 제공할 것입니다.”

“르네사스의 전 세계적인 입지, 광범위한 솔루션 제공 및 고객 관계가 결합되어 업계 전반에 걸쳐 WBG 소재를 채택할 수 있는 길을 닦고 상당한 성장을 위한 발판을 마련하게 되어 기쁘게 생각합니다. 이번 거래를 통해 우리는 더 많은 제품을 제공할 수 있을 것입니다. 고객을 위한 서비스를 확장하고 주주들에게 상당한 즉각적인 현금 가치를 제공합니다.”라고 Transphorm의 공동 창업자이자 사장 겸 CEO인 Primit Parikh 박사와 Transphorm의 공동 창업자이자 CTO인 Umesh Mishra 박사는 말했습니다. “게다가, 이는 우리의 뛰어난 팀이 Transphorm의 선도적인 GaN 기술과 제품을 더욱 발전시킬 수 있는 강력한 플랫폼을 제공할 것입니다.”

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Transphorm(NASDAQ:TGAN) 주식정보

반도체 회사인 Transphorm, Inc.는 중국 본토, 홍콩, 대만, 미국, 일본, 한국, 인도 및 유럽에서 고전압 전력 변환 응용 분야용 질화갈륨(GaN) 반도체 부품을 개발, 제조 및 판매합니다. . 이 회사의 제품에는 다양한 패키지의 GaN 전계 효과 트랜지스터가 포함됩니다. GaN 장치를 통해 고객은 스마트폰 전원 어댑터/고속 충전기, 데이터 센터 서버/통신용 전원 공급 장치, 산업용 전력 변환기, 전기 자동차용 충전기/컨버터/인버터 및 기타 애플리케이션을 포함한 다양한 최종 제품에서 기능적 가치를 생성하는 전력 시스템을 설계할 수 있습니다. . 회사는 지역 대리점 및 영업 담당자를 통해 제품을 제공합니다. Transphorm, Inc.는 2007년에 설립되었으며 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있습니다.

트랜스폼 테크놀로지의 주가전망

2개의 중개인이 Transphorm의 주식에 대해 12개월 목표 가격을 발표했습니다. TGAN 주가 목표 범위는 3.50달러에서 8.00달러입니다. 평균적으로 그들은 회사의 주가가 내년에 5.75달러에 도달할 것으로 예측합니다. 이는 현재 주가 대비 51.7%의 상승 여력이 있음을 의미한다.

트랜스폼 테크놀로지의 지난 분기 수익 결과

Transphorm, Inc.(NASDAQ:TGAN)은 11월 9일 목요일에 실적 결과를 발표했습니다. 회사는 이번 분기 EPS를 0.12달러로 보고했는데, 이는 컨센서스 추정치(0.13달러)를 0.01달러 앞선 것입니다. 이 회사는 해당 분기에 501만 달러의 매출을 기록했는데, 이는 분석가들의 예상인 540만 달러에 비해 수치가 높았습니다. Transphorm은 135.15%의 12개월 후행 자기자본 수익률과 182.08%의 마이너스 순마진을 기록했습니다.